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DDR2
大容量DDR2是高速、高存储密度的同步动态随机访问数据存储器，由1片或多片DDR2基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。
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产品特性 |
频率：最高达333MHz；
位宽：8bit、16bit、72bit；
电源电压：1.8V；
典型产品辐照指标：
TID: 100 krad（Si）
SEL: ＞62.5 Mev·cm2/mg
SEU: 2 Mev·cm2/mg
工作温度：
0℃~+70℃
-40℃~+85℃
-40℃~+105℃
产品列表
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# |
DDR2 |
存储
容量 |
存储
组织 |
电压 |
频率 |
抗辐射 |
封装 |
温度
等级 |
筛选
等级 |
质量
等级 |
||
|
TID 1 |
SEL 2 |
SEU 3 |
||||||||||
|
1 |
VD2D1G08xS74xx1U6 |
1Gbit |
128M*8 |
1.8V |
333MHz |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP74 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
2 |
VD2D2G16XB95XX2U6 |
2Gbit |
128M*16 |
1.8V |
333MHz |
150 |
TBD |
TBD |
BGA95 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
3 |
VD2D8G08XS88XX8U6 |
8Gbit |
1G*8 |
1.8V |
266MHz |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP88 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
4 |
VD2D4G72xB191xx3U6 |
4Gbit |
64M*72 |
1.8V |
333MHz |
100 |
62.5 |
2 |
BGA191 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose（Krads(Si)）
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相关下载 |
| VD2D1G08xS74xx1U6 user manual.pdf |
 VD2D1G08xS74xx1U6 user manual.pdf
|
| VD2D2G16XB95XX2U6 user manual.pdf |
VD2D2G16XB95XX2U6 user manual.pdf
|
| VD2D8G08XS88XX8U6 user manual.pdf |
VD2D4G72xx191xx3U6 user manual.pdf
|
| VD2D4G72xB191xx3U6 user manual.pdf |
VD2D8G08XS88XX8U6 user manual.pdf
|
| 立体封装模块自动回流焊装配规范.pdf |
立体封装模块自动回流焊装配规范_opt.pdf
|
| 立体封装模块手工装配工艺建议.pdf |
立体封装模块手工装配工艺建议.pdf
|
| 立体封装模块加固建议.pdf |
立体封装模块加固建议_opt.pdf
|
| 立体封装模块焊接后清洗建议.pdf |
立体封装模块焊接后清洗建议.pdf
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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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