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EEPROM

大容量EEPROM是高存储密度的电可擦除、可编程数据存储器,由一个或多个EEPROM基片采用立体封装工艺堆叠而成。广泛应用于航空航天领域嵌入式计算机系统。

 

  产品特性


总容量:1M~8M;

访问速度:最快达250ns3.3V),150ns5.0V

数据宽度:8位,32位,40位;

电源电压:3.3V5V

典型产品辐照指标:

TID: TBD

SEL: TBD

SEU: TBD

工作温度:-55~125℃。

 

   产品列表



#  EEPROM 存储容量(bit)  存储组织  电压  访问速度  抗辐射 封装  温度等级  筛选等级  质量等级 
TID 1) SEL 2) SEU 3)
1 VDEE1M08xS40xx1C250-II 1M 128k*8 5V 150 ns TBD TBD TBD SOP40  E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
2 VDEE1M08xS40xx1V250-II 1M 128k*8 3.3V 250 ns TBD TBD TBD SOP40 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
3

VDEE2M08xS40xx2C250-II

2M

256k*8

5V 150 ns TBD TBD TBD SOP40 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
4

VDEE2M08xS40xx2V250-II

2M

256k*8

3.3V 250 ns TBD TBD TBD SOP40 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
5

VDEE4M08xS40xx4C250-II

4M

512k*8

5V 150 ns TBD TBD TBD SOP40 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
6

VDEE4M08xS40xx4V250-II

4M

512k*8

3.3V 250 ns TBD TBD TBD SOP40 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
7

VDEE4M32xS64xx4C250-II

4M

128k*32

5V 150 ns TBD TBD TBD SOP64 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
8

VDEE4M32xS64xx4V250-II

4M

128k*32

3.3V 250 ns TBD TBD TBD SOP64 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
9

VDEE5M40xS64xx5C250-II

5M

128k*40

5V 150 ns TBD TBD TBD SOP46 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
10

VDEE5M40xS64xx5V250-II

5M

128k*40

3.3V 250 ns TBD TBD TBD SOP64 E,I,M, E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
11  VDEE8M08xS40xx8C250-II  8M  1M*8  5V  150 ns  TBD  TBD  TBD  SOP40  E,I,M,  E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
12  VDEE8M40xS64xx8V250-II  8M  1M*8  3.3V  250 ns  TBD  TBD  TBD  SOP40  E,I,M,  E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
13  VDEE8M32xS64xx8C250-II  8M  256k*32  5V  150 ns  TBD  TBD  TBD  SOP64  E,I,M,  E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 
14  VDEE8M32xS64xx8V250-II  8M  256k*32  3.3V  250 ns  TBD  TBD  TBD  SOP64  E,I,M,  E,B,M,S  EE,IB,MB,MM,MS 


     1)TID:Total DoseKrads(Si)

2)SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3)SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暂无记录
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